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N卡新一代旗舰将会搭载:SK Hynix 海力士 展示 GDDR6 晶圆和颗粒

尽管HBM显存堆叠技术才是未来,但由于成本过高,再加上GDRR5、5X表现依旧抢眼,AMD和英伟达在中端甚至高端上仍继续沿用。今天,SK Hynix(海力士)在NVIDIA GTC 2017上展示了GDDR6晶圆颗粒,同时宣布将会在2018年为英伟达新一代旗舰显卡提供,也就是N卡新一代“Volta伏打”构架产品,这也意味着NVIDIA将会率先导入GDDR6颗粒,而AMD方面“Navi” 中高端同样也会跟进,不过各家高端仍然会是HBM2正面对抗。

本篇资讯配图均引用自www.hardwareluxx.de

GDDR5与GDDR6对比主要在颗粒容量上,从过去的4GB~8GB提升至最少8GB起步,或者是最大16GB,这对于有需要搭配海量显存的专业显卡来说,当然是一个相当有意义的事情。此外,我们也可以见到 GDDR6在Burst Lenth、External IO、WCK rate、Pin data rate、Voltage、Rx以及EDC rate都有着显著的改变。

尽管GDDR仍有潜力可挖,但未来中归属于更先进的HBM,目前使用HBM显存的有AMD Radeon R9 Fury X和NVIDIA Tesla P100(HBM2),即将到来的AMD Radeon RX Vega也将是HBM2,而采用GDDR5X的有NVIDIA GeForce GTX 1080和NVIDIA Titan Xp,可以看出N卡更喜欢性价比的GDRR,并不急于使用HBM,而AMD希望依靠HBM2技术来翻身,能否如愿还是交给时间来检验吧。

以上图片引用来自互联网,仅供参考


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