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支持QLC闪存:WD 西部数据 成功研发 96层堆叠3D NAND 单芯片容量1.5TB

2016年开始SSD闪存遇到技术瓶颈,产能有限导致SSD、内存以及储存卡等价格开始暴涨,按照初定计划,2017年这一问题将彻底缓解,各家都在努力研发成本更低层数更多的3D NAND闪存。2017年是闪存成长最快竞争最激烈的一年,三星东芝/西部数据、镁光、SK海力士等纷纷在年初宣布进入64层/72层3D NAND,现已进入量产阶段,大量产品会在今年第三季度问世,价格也将回归理性。

继三星、镁光等第三代64层 3D NAND成功后,近日,WD(西部数据)宣布成功研发出业内首个96层堆叠3D NAND,采用第四代BiCS技术,单芯容量最高可达到TB级,与东芝合作,比三星计划中的90层3D NAND足足快了一拍,拥有更低的成本优势。西数希望可以迅速占领高地,相关产品会在2017年下半年供给OEM客户测试,初期提供单芯容量为256GB,预计会在2018年初正式问世。

西部数据存储技术执行副总裁Siva Sivaram曾表示,虽然从投资新设备和新制造工艺的角度来看,3D NAND十分昂贵,但3D NAND堆叠层数的发展比想象的要快,64层3D NAND认为是与2D NAND成本比较的交叉点,也因此西部数据才迅速进入96层3D NAND阶段研发,进一步提高3D NAND成本竞争力。西部数据第四代BiCS能够实现TLC(3-bits-per-cellNAND)和QLC(4-bits-per-cellNAND)闪存架构,不论从性能还是成本都将更有优势。此外,西数会在2017年第三季度推出基于第三代BiCS技术64层3D NAND产品,将占自己3D NAND总产能75%以上,会大幅提升自己在市场的竞争力。今年秋季,SSD市场一场大战将至。

顺便一提,当时TLC已经不那么受欢迎了,现在更激进的QLC也要来了。对于SSD相关产品容量大型化肯定有积极意义,但你能接受理论可靠性更低的QLC闪存吗?

以上图片引用来自互联网,仅供参考


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