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支持QLC闪存：WD 西部数据 成功研发 96层堆叠3D NAND单芯片容量1.5TB
2017-06-29 11:04:07
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2016年开始SSD闪存遇到技术瓶颈，产能有限导致SSD、内存以及储存卡等价格开始暴涨，按照初定计划，2017年这一问题将彻底缓解，各家都在努力研发成本更低层数更多的3D NAND闪存。2017年是闪存成长最快竞争最激烈的一年，三星、东芝/西部数据、镁光、SK海力士等纷纷在年初宣布进入64层/72层3D NAND，现已进入量产阶段，大量产品会在今年第三季度问世，价格也将回归理性。
继三星、镁光等第三代64层 3D NAND成功后，近日，WD（西部数据）宣布成功研发出业内首个96层堆叠3D NAND，采用第四代BiCS技术，单芯容量最高可达到TB级，与东芝合作，比三星计划中的90层3D NAND足足快了一拍，拥有更低的成本优势。西数希望可以迅速占领高地，相关产品会在2017年下半年供给OEM客户测试，初期提供单芯容量为256GB，预计会在2018年初正式问世。
西部数据存储技术执行副总裁Siva Sivaram曾表示，虽然从投资新设备和新制造工艺的角度来看，3D NAND十分昂贵，但3D NAND堆叠层数的发展比想象的要快，64层3D NAND认为是与2D NAND成本比较的交叉点，也因此西部数据才迅速进入96层3D NAND阶段研发，进一步提高3D NAND成本竞争力。西部数据第四代BiCS能够实现TLC（3-bits-per-cellNAND）和QLC（4-bits-per-cellNAND）闪存架构，不论从性能还是成本都将更有优势。此外，西数会在2017年第三季度推出基于第三代BiCS技术64层3D NAND产品，将占自己3D NAND总产能75%以上，会大幅提升自己在市场的竞争力。今年秋季，SSD市场一场大战将至。
顺便一提，当时TLC已经不那么受欢迎了，现在更激进的QLC也要来了。对于SSD相关产品容量大型化肯定有积极意义，但你能接受理论可靠性更低的QLC闪存吗？
