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单芯片堆叠出2TB:SAMSUNG 三星 公布 第五代V-NAND闪存技术及相关规划

SAMSUNG(三星)今日在旧金山闪存峰会上公布了未来存储产品的一些规划。其中最亮眼的是第五代V-NAND闪存芯片,单晶128GB堆叠后单芯片可达2TB容量,这对于SSD扩容有积极意义。另外还公布了一种在M.2(NGFF)之后的新规格固态硬盘NGSFF,以及企业级产品Z-SSD。

之前我们曾经报道过三星第四代V-NAND闪存的消息,而全新一代V-NAND闪存单晶1Tb,单个芯片可达16Tb,换算成SSD容量就是2TB的单芯片容量。闪存颗粒的大幅增容对于SSD瘦身和总体容量提升是一个巨大利好,不过根据此前发布的东芝3D闪存推断,三星第五代V-NAND单芯片2TB技术疑似也属于QLC。

此外,三星还公布了一种很近似于目前M.2硬盘的新SSD规格:NGSFF(Next Generation Small Form Factor)。NGSFF目前主要面对于服务器,对比M.2硬盘的NGFF规范这种号称“Small”的新规范反而更大了,尺寸身材30.5mm x 110mm x 4.38mm。新品能有效提高IOPS,首批成品将于今年三季度出货。同时面对专业领域的Z-SSD也会更新,新一代Z-NAND延迟更低适合高性能服务器,拥有很低的延迟适合大数据处理中心。


以上图片引用来自互联网,仅供参考


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