国产芯工艺又进步了:中芯国际或在年底试产第二代FinFET N+1工艺芯片
日前,中芯国际在回答投资者时表示,公司第一代FinFET 14纳米已于2019年四季度量产;第二代FinFET N+1工艺芯片已进入客户导入阶段,可望于2020年底小批量试产。此外,中芯国际方面还重申,目前公司营运和采购如常。
今年10月中旬时,中芯就宣布,基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试,所有IP全自主国产,功能一次测试通过。年底小批量试产,这说明发展一切顺利。
N+1是中芯国际第二代先进工艺的代号,与现有的14nm工艺相比,性能提升20%,功耗降低57%,逻辑面积缩小63%,SoC面积减少55%,虽然没有说明具体的工艺制程,但被称为“国产版”的7nm芯片技术。
中芯国际梁孟松博士表示,N+1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似,但性能要低一些(业界标准是提升35%),所以中芯国际的N+1工艺主要面向低功耗应用的。而在N+1之后,中芯国际还会有N+2,这两种工艺在功耗上表现差不多,区别在于性能及成本,N+2显然是面向高性能的,成本也会增加。
前不久,中芯国际在互动平台上也表示,目前公司正常运营,公司和美国相关政府部门等进行了积极交流与沟通。
公司客户需求强劲,订单饱满,第三季度产能利用率接近满载。展望2020年全年,公司的收入目标上修为24%至26%的年增长,全年毛利率目标高于去年,发展势头很好。
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