48层堆叠、单芯片256Gb：TOSHIBA 东芝 成功研发 BiCS 3D TLC闪存芯片

今年上半年，我们报道过各大闪存厂商相继成功研发3D闪存的消息，当时intel（英特尔）和Micron（镁光）这对好基友虽然在研发成功的时间上晚于SAMSUNG（三星），但是同样是32层的结构能够塞进更大的容量，TLC规格下单Die能够做到48GB，能够让2.5英寸大小的固态硬盘能够拥有10TB容量。现在闪存行业当中三大集团的另外一方TOSHIBA（东芝）与SanDisk（闪迪）也取得了新突破：东芝今天正式发布了256Gb容量、48层堆叠结构的BiCS闪存芯片，仍然是TLC规格。

今后几年TLC规格的固态硬盘代替机械硬盘是大势所趋，随着3D闪存的大面积商用，闪存芯片的存储密度和容量都会不断增高，而成本随之下降，所以不久之后4TB乃至10TB的固态硬盘也不会少见吧。东芝的BiCS闪存芯片将于2016年开始量产，为此他们还建设了一个新的晶圆厂，这家晶圆厂将于2016年上半年竣工，所以我们要见到具体的产品至少也要2016年下半年了。