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64层V-NAND、860MB/s:SAMSUNG 三星 宣布 量产 512GB UFS闪存

随着储存技术不断进步,储存容量等问题也在被逐一解决,今天SAMSUNG(三星)宣布,将正式开始量产全球首款512GB嵌入式UFS闪存,采用64层V-NAND技术,能带来更大的容量,同时具备高速表现,能帮助智能手机、SSD等储存终端带来更优秀的续航、性能和容量表现。512GB UFS闪存将用于三星下一代智能旗舰手机中,不过未给出具体时间,不出意外的话应该会是明年年初的S9。

据了解,512GB UFS采用三星64层V-NAND技术,单晶粒大小512GB(64GB),8片和主控封装在一起,是之前48层V-NAND最高256GB UFS的两倍,可轻松储存130部4K分辨率(3840×2160)的10分钟视频。

除了大容量,还拥有高速表现,官方宣称最高连续读写分别可达860MB/s和255MB/s,可在6秒向SSD传完一部5GB的高清电影,速度比常规microSD卡提升至少8倍;而4K随机读取42000IOPS,写入40000 IOPS,比常规microSD的100 IOPS速度快400倍左右,用户可享受无缝多媒体体验,如高分辨率的连拍,以及文件快速搜索、视频下载、双应用程序查看等。

值得一提的是,三星表示如今microSD卡已明显跟不上用户需求,预计未来手机将彻底放弃microSD储存扩展。此外,三星正稳步增加64层512GB V-NAND和256GB V-NAND产量,未来将很快用于SSD产品中,来满足高级嵌入式高密度和高性能平台需求。

以上图片引用来自互联网,仅供参考


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