64层V-NAND、860MB/s：SAMSUNG 三星 宣布 量产 512GB UFS闪存

随着储存技术不断进步，储存容量等问题也在被逐一解决，今天SAMSUNG（三星）宣布，将正式开始量产全球首款512GB嵌入式UFS闪存，采用64层V-NAND技术，能带来更大的容量，同时具备高速表现，能帮助智能手机、SSD等储存终端带来更优秀的续航、性能和容量表现。512GB UFS闪存将用于三星下一代智能旗舰手机中，不过未给出具体时间，不出意外的话应该会是明年年初的S9。

据了解，512GB UFS采用三星64层V-NAND技术，单晶粒大小512GB（64GB），8片和主控封装在一起，是之前48层V-NAND最高256GB UFS的两倍，可轻松储存130部4K分辨率（3840×2160）的10分钟视频。

除了大容量，还拥有高速表现，官方宣称最高连续读写分别可达860MB/s和255MB/s，可在6秒向SSD传完一部5GB的高清电影，速度比常规microSD卡提升至少8倍；而4K随机读取42000IOPS，写入40000 IOPS，比常规microSD的100 IOPS速度快400倍左右，用户可享受无缝多媒体体验，如高分辨率的连拍，以及文件快速搜索、视频下载、双应用程序查看等。

值得一提的是，三星表示如今microSD卡已明显跟不上用户需求，预计未来手机将彻底放弃microSD储存扩展。此外，三星正稳步增加64层512GB V-NAND和256GB V-NAND产量，未来将很快用于SSD产品中，来满足高级嵌入式高密度和高性能平台需求。