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采用3D NAND技术:SanDisk 闪迪 发布 iNAND 7550 和 iNAND 8521 嵌入式闪存

无独有偶,除了三星宣布量产512GB UFS闪存之外,WD(西部数据)旗下SanDisk(闪迪)今天也发布了采用64层3D NAND的闪存新品,包括嵌入式UFS iNAND 8521和e.MMC iNAND 7550两款,都采用第四代SmartSLC智能缓存技术,64层3D NAND堆叠技术,最大提供256GB容量,媲美SSD速度和容量,其中iNAND 8521可提供高达800MB/s的读取。目前两款已开始送样,预计明年会部署在旗舰机中。

INAND 8521系列将部署在高端智能手机中,符合UFS2.1标准,拥有第五代“SmartSLC”智能高速缓存技术,提供32GB、64GB、128GB和256GB四种容量。值得一提的是,INAND 8521是现有iNAND7232的继承者,连续写入性能提升2倍,4K随机写入提升10倍,可提供800MB/s读取和500MB/s写入,4K随机读写分别为50000 IOPS和45000 IOPS。

面向主流级的iNAND 7550符合e.MMC 5.1标准,同样有32GB、64GB、128GB和256GB四种容量,拥有第四代“智能SLC”智能缓存技术,同样采用64层3D NAND技术,不过性能要低许多,最高读写为260MB /s,4K随机读写分别为20000 IOPS和15000IOPS。

以上图片引用来自互联网,仅供参考


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