采用3D NAND技术：SanDisk 闪迪 发布 iNAND 7550 和 iNAND 8521 嵌入式闪存

无独有偶，除了三星宣布量产512GB UFS闪存之外，WD（西部数据）旗下SanDisk（闪迪）今天也发布了采用64层3D NAND的闪存新品，包括嵌入式UFS iNAND 8521和e.MMC iNAND 7550两款，都采用第四代SmartSLC智能缓存技术，64层3D NAND堆叠技术，最大提供256GB容量，媲美SSD速度和容量，其中iNAND 8521可提供高达800MB/s的读取。目前两款已开始送样，预计明年会部署在旗舰机中。

INAND 8521系列将部署在高端智能手机中，符合UFS2.1标准，拥有第五代“SmartSLC”智能高速缓存技术，提供32GB、64GB、128GB和256GB四种容量。值得一提的是，INAND 8521是现有iNAND7232的继承者，连续写入性能提升2倍，4K随机写入提升10倍，可提供800MB/s读取和500MB/s写入，4K随机读写分别为50000 IOPS和45000 IOPS。

面向主流级的iNAND 7550符合e.MMC 5.1标准，同样有32GB、64GB、128GB和256GB四种容量，拥有第四代“智能SLC”智能缓存技术，同样采用64层3D NAND技术，不过性能要低许多，最高读写为260MB /s，4K随机读写分别为20000 IOPS和15000IOPS。