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性能提升10%、能耗降15%:SAMSUNG 三星 量产第二代10纳米工艺DRAM颗粒

近日,SAMSUNG(三星)官方宣布成功研发出全球最小DRAM颗粒——第二代10纳米工艺DRAM颗粒,性能提升10%,功耗降低15%,相比市场同类产品提升30%能耗,比4年前的20nm产品能耗表现提升足足一倍。据了解,三星将很快投入量产,容量为8GB,预计将2018年Q2季度陆续发货。

官方表示,第二代10纳米工艺DRAM颗粒比第一代10纳米工艺性能提升10%,据悉最高为3600MHz,内存容量8GB,还采用更先进的电路设计技术,能耗降低约15%。三星表示,与2012年使用20纳米工艺生产的4GB DDR3芯片相比,新的8GB DDR4芯片在容量、速度以及功效上都提升了一倍。

另外,三星计划提升第二代10纳米工艺DRAM产品30%产能,在半导体业务的推动下,三星今年的营业利润有望创下纪录。值得一提的是,目前三星正与周边厂商密切合作,已完成了第二代10纳米DDR4内存测试验证,将于下一代平台上正式问世。

以上图片引用来自互联网,仅供参考


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