性能翻倍、更耐用稳定：JEDEC 固态技术协会 发布 UFS 3.0闪存 和 储存卡UFS V 1.1规范

储存技术不断发展，技术规范一次次升级，推动着整个业内向前发展。近日，固态技术协会（JEDEC）发布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI通用闪存存储）v3.0标准（JESD220D、JESD223D），引入HS-G4规范，单通道带宽提升至11.6Gbps，是目前UFS 2.1（HS-G3UFS 2.1）性能的2倍，而且支持双通道双读写。另外，JEDEC还更新发布了UFS存储卡v1.1标准，性能再度提升可达1.5GB/s。

UFS 3.0严格遵守MIPI（移动产业处理器接口）的规范协议，物理层依据MIPI M-PHY v4.1，传输层依据MIPI UniProSM v1.8。UFS 3.0最大优势就是双通道双向读写，接口带宽最高23.2Gbps，也就是最高2.9GB/s。另外，UFS 3.0支持更多分区，纠错性能提升，电压2.5V，而且能承受-40℃-105℃宽温工作环境，并支持最新的NANG Flash闪存颗粒，能广泛应用与户外工作环境，比如汽车自动驾驶等。至于UFS存储卡v1.1，则实现了对HS-Gear1/2/3的全部兼容，存储速度最高1.5GB/s。

据三星方面消息，它们将在一季度推出UFS 3.0相关产品，就目前已知消息，骁龙845和Exynos 9810并无证据支持UFS3.0接口，所以是否会用在Galaxy S9还不确定，更多消息资讯频道会持续跟进，敬请期待。