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性能翻倍、更耐用稳定:JEDEC 固态技术协会 发布 UFS 3.0闪存 和 储存卡UFS V 1.1规范

储存技术不断发展,技术规范一次次升级,推动着整个业内向前发展。近日,固态技术协会(JEDEC)发布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI通用闪存存储)v3.0标准(JESD220D、JESD223D),引入HS-G4规范,单通道带宽提升至11.6Gbps,是目前UFS 2.1(HS-G3UFS 2.1)性能的2倍,而且支持双通道双读写。另外,JEDEC还更新发布了UFS存储卡v1.1标准,性能再度提升可达1.5GB/s。

UFS 3.0严格遵守MIPI(移动产业处理器接口)的规范协议,物理层依据MIPI M-PHY v4.1,传输层依据MIPI UniProSM v1.8。UFS 3.0最大优势就是双通道双向读写,接口带宽最高23.2Gbps,也就是最高2.9GB/s。另外,UFS 3.0支持更多分区,纠错性能提升,电压2.5V,而且能承受-40℃-105℃宽温工作环境,并支持最新的NANG Flash闪存颗粒,能广泛应用与户外工作环境,比如汽车自动驾驶等。至于UFS存储卡v1.1,则实现了对HS-Gear1/2/3的全部兼容,存储速度最高1.5GB/s。

三星方面消息,它们将在一季度推出UFS 3.0相关产品,就目前已知消息,骁龙845和Exynos 9810并无证据支持UFS3.0接口,所以是否会用在Galaxy S9还不确定,更多消息资讯频道会持续跟进,敬请期待。

以上图片引用来自互联网,仅供参考


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