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容量翻番、性能提升50%:Micron 美光 发布 UFS 2.1 手机闪存

随着AI人工智能、面部识别以及大数据储存技术兴起,智能手机对高速、大容量储存需求越来越多,市场迫切需要更先进的储存技术来满足用户。在MWC 2018展会期间,Micron(美光)发布了新一代UFS 2.1手机闪存,采用自家第二代64层3D NAND TLC技术,符合闪存UFS 2.1标准,提供256GB,128GB和64GB容量,性能翻番、延迟更低,能耗表现优秀并拥有不错的耐久度,能够更快速,更高效地访问数据,满足旗舰智能手机等移动设备需要。据悉,新的美光UFS 2.1闪存将于今年下半年开始供货,预计秋季会在各家旗舰机中看到。

据了解,第二代3D TLC颗粒优化架构,容量翻倍,性能相比第一代提升了50%,延迟也进一步降低,还拥有高效峰值功率管理系统,可智能控制将功耗降至最低。容量翻番的同时,得益于64层堆堆栈技术,单32GB颗粒Die面积仅为59.341mm2,是目前业内最小体积。另外,镁光3D NAND TLC符合UFS 2.1 G3-2L规范,相比e.MMC 5.1带宽提升200%,并支持高速同步读写功能,能轻松对付4K或者超高分辨率照片的连续读写储存。

以上图片引用来自互联网,仅供参考


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