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性能提升40%、延迟更低、能耗优秀:SAMSUNG 三星 正式量产 第五代3D V-NAND颗粒

近日,Samsung Electronics(三星电子)官方宣布,正式开始量产业内最先进的96层堆叠设计颗粒——第五代3D V-NAND,性能提升约40%,容量密度大幅提升同时,延迟响应和电压也大幅降低,所以新一代能耗表现更为优秀。

据了解,三星第五代V-NAND采用业内先进96层堆叠技术,采用类似金字塔结构堆叠而成,在每一层之间贯穿极微小的垂直通道孔洞,尺度仅有几百微米宽。结构的优势,促使内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元,每单元可保存3bit数据,所以单Die容量可轻松达到256GB(32GB)。除了容量,先进的构架技术还拥有更高效的执行效率,官方表示性能相比64层提升约40%左右,数据读取延迟50微秒,而写入延迟仅为500微秒,比64层颗粒降低30%。

此外,它还首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面,在存储与内存之间的数据传输率高达1.4Gbps。同时电压从1.8V降至1.2V,能效大大提高,不过具体能耗表现未透露。与此同时,三星官方还透露了未来产品计划,表示他们正在开发1TB(128GB)容量QLC V-NAND颗粒,具体量产时间还不清楚,预计要等到明年年底左右。

以上图片引用来自互联网,仅供参考


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