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96层堆栈、读速提升30%:SK Hynix 海力士 发布 4D NAND闪存颗粒

2018全球闪存技术峰会(Flash Memory Summit 2018)正在热火热荼的进行中,各家纷纷亮剑拿出杀手锏来吸引眼球,SK Hynix(海力士)方面则宣布了3D NAND技术后的替代者4D闪存技术,宣称芯片面积更小、容量更大、性能更强、成本更低。据悉,海力士4D闪存将于今年四季度开始出样,初步定于2019年上半年出货。

据了解,SK海力士第一款4D闪存是V5 512Gb TLC、单芯13mm²,比3D减小20%体积、采用96层堆叠技术,BGA封装可以做到1Tb(128GB),模组最大2TB,能轻松在2.5寸的U.2中做到64TB超大容量。性能方面,I/O接口速率1.2Gbps(ONFi 4.1标准),读速提升30%、写速提升25%。除了TLC方案,V5 4D闪存也将会推出QLC类型颗粒,同样采用96层堆叠,单Die最小1Tb,具体细节暂未透露,最快要等到明年下半年才会出样。

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以上图片引用来自互联网,仅供参考


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