64层堆栈：TOSHIBA 东芝 WD 西部数据 宣布新一代BiCS 3D NAND闪存

目前市场上3D NAND闪存产品最流行的是三星，其V-NAND技术的3D NAND已经发展到第三代。日前TOSHIBA（东芝）和WD（西部数据）公布了其3D NAND闪存的最新进展——64层堆栈的BiCS 3D闪存已经开始出样，比之前的48层堆栈更先进，预计2017年上半年正式量产。

东芝号称在所有3D NAND闪存中，自家BiCS技术的闪存核心面积低成本更低。目前量产的是48层堆栈，MLC类型的核心容量128Gb，TLC类型的容量可达256Gb。新一代BiCS闪存是64层堆栈的，核心容量256Gb（32GB），未来还会推出容量高达512Gb的产品。东芝表示64层堆栈的3D NAND闪存单位面积容量增加了40%，每片晶圆所能生产的NAND容量变大成本更低。