性能提升40%、延迟更低、能耗优秀：SAMSUNG 三星 正式量产 第五代3D V-NAND颗粒

近日，Samsung Electronics（三星电子）官方宣布，正式开始量产业内最先进的96层堆叠设计颗粒——第五代3D V-NAND，性能提升约40%，容量密度大幅提升同时，延迟响应和电压也大幅降低，所以新一代能耗表现更为优秀。

据了解，三星第五代V-NAND采用业内先进96层堆叠技术，采用类似金字塔结构堆叠而成，在每一层之间贯穿极微小的垂直通道孔洞，尺度仅有几百微米宽。结构的优势，促使内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元，每单元可保存3bit数据，所以单Die容量可轻松达到256GB（32GB）。除了容量，先进的构架技术还拥有更高效的执行效率，官方表示性能相比64层提升约40%左右，数据读取延迟50微秒，而写入延迟仅为500微秒，比64层颗粒降低30%。

此外，它还首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面，在存储与内存之间的数据传输率高达1.4Gbps。同时电压从1.8V降至1.2V，能效大大提高，不过具体能耗表现未透露。与此同时，三星官方还透露了未来产品计划，表示他们正在开发1TB（128GB）容量QLC V-NAND颗粒，具体量产时间还不清楚，预计要等到明年年底左右。