明年四月5nm：TSMC 台积电 第二代 7nm 极紫外光刻芯片下线

TSMC（台积电）是世界上最大的晶圆代工公司，刚刚宣布他们使用EUV（极紫外光刻）在第二代7纳米技术“N7+”上取得突破，第二代7纳米技术N7+设计已经下线开始生产。此前台积电的第一代7纳米产品，已经广泛应用于苹果公司iPhone和NVIDIA GeForce RTX等产品之上。

虽然尚未完整采用极紫外光刻，但N7+工艺已经可以充分利用新技术，有利于大规模生产以及解决批量生产的良品率问题。第二代7纳米新技术将使功率降低6-12％，晶体管密度提高20％，这对于芯片功耗层面尤其重要。 7纳米之后台积电的目标是5纳米，内部称为“N5”。该过程将使用最多14层极紫外光刻，预计将于2019年4月批量生产。据台积电称，PCIe Gen 4和USB 3.1等很多新特性已经为N5做好了准备。与7纳米N7设计的1.5亿美元初始成本相比，N5的成本预计将进一步增加，最高可达2亿至2.5亿美元。