符合UFS 3.0、750MB/s性能:WD 西数 发布 iNAND EU511 闪存芯片
在本届MWC 2019大会上,Western Digital(西部数据)发布了新一代iNAND嵌入式闪存——iNAND MC EU511,符合UFS 3.0规范,采用96层3D NAND,最大容量512GB,顺序读写高达750MB/s,可为未来的5G设备提供更好体验。目前,西数iNAND EU511闪存已开始向OEM客户出样,主要面向5G旗舰手机,平板、 Chromebook 、AR 、VR 、人工智能和相机等设备,相关新品有望在年内上市。
西数iNAND EU511采用最先进96层堆栈技术,容量64GB-512GB,具体颗粒类型未透露,业内普遍猜测是3D TLC。另外,支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规范,单通道双向11.6Gpps,因此双通道双向带宽理论最高可达23.2Gbps,大约是2.9GB/s。依靠西数SmartSLC Generation 6技术,最高顺序读写可达750MB/s,是现有技术的两倍,而随机读写分别提升75%和25%,官方表示可帮5G设备实现4K/8K视频高速下载,只需3.6秒即可下载一部2小时时长的电影。