更低延迟、高效节能:SAMSUNG 三星 宣布 量产 eMRAM 颗粒
由于eFlash所面临的可扩展性挑战,新一代eMRAM (嵌入式磁性随机存取存储器)应运而生,依靠非易失性、更强的随机性能和耐久性,因此被业内各家巨头纷纷看好。作为储存技术佼佼者,SAMSUNG(三星)总是走在最前面,今天官方宣布开始量产eMRAM,首批eMRAM已在三星京畿道Giheung电子半导体工厂下线。
据了解,三星eMRAM采用28nm工艺、FD-SOI技术打造,也叫28FDS eMRAM,首批下线颗粒容量为1GB。通过创新28FD-SOI技术可有效减少漏电发生,具有更好的稳定性,而且可提供差异化定制方案,适用于包括微控制器单元(MCU),物联网(IoT)和人工智能(AI)等设备中。
性能方面,官方表示写入延迟比eFlash爆降大约一千倍,而且eMRAM比eFlash具有更好的功耗表现,在断电模式下几乎可以做到不消耗电力,从而为设备高效节能。