单芯16GB、410GBps/s带宽：SAMSUNG 三星 发布 HBM2E 超高带宽 闪存颗粒

在今天的GTC 2019大会上，SAMSUNG（三星）宣布推出HBM2E超高带宽显存颗粒，可为下一代超算图形系统和AI人工智能设备提供更高DRAM性能。

据了解，三星HBM2E单芯容量高达16GB，是现有HBM2最高容量的两倍，并且单通道可提供3.2Gbps/s带宽，单芯HBM2E总带宽可提供410GBps/s。性能方面，官方表示三星HBM2E速度比上一代HBM2快33％，同时能耗表现更为优秀，不过具体细节暂未透露。

三星电子工程团队高级副总裁Jinman Han表示；“HBM2E具有高性能、大容量，低功耗等特点，能为下一代数据中心、人工智能、机器学习和图形应用带来更好体验。”

目前官方尚未公布采用HBM2E的产品细节，期待能在今年看到相关产品问世。