5微秒超低延迟:TOSHIBA 东芝 正式发布 XL-Flash 闪存
在三星宣布量产第六代V-NAND颗粒后,另一巨头TOSHIBA(东芝) 也带来了杀手级产品。今天,东芝官方正式推出了XL-Flash闪存,是一种采用3D立体封装、延迟超低的SLC闪存,从研发到正式发布只用了大概不到两年时间。
据了解,东芝XL-Flash闪存介于传统DRAM内存、NAND Flash闪存之间,拥有成本低、单芯容量大,性能强等特点,官方表示XL-Flash将率先应用于SSD固态硬盘,未来将部署在内存等传统DRAM领域。
具体技术规格,东芝XL-Flash每个Die裸片容量为128Gb(16GB),支持2/4/8个Die封装,单芯容量最高可实现128GB,官方表示未来容量肯定还会继续提升。至于性能,XL-Flash延迟低于5微秒,比在3D TLC闪存50微秒足足低了近10倍,响应延迟表现优秀。
值得一提的是,由于可分成多达16层,同时页面尺寸仅为4KB,所以远小于3D NAND,因此读写效率更高,不过擦除区块尺寸未披露,但相信也会比高容量3D NAND小得多。
目前官方未透露具体发货时间,按照三星第六代V-NAND的步伐,预计搭载东芝XL-Flash的产品会在今年年底或明年年初前问世。