SK海力士宣布量产 238 层 4D NAND 闪存，速度提升幅度50%

SK海力士今日宣布，现已开始量产238层 4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。相比较目前主流的闪存来说性能有着比较大的提升，同时在大容量存储的制造成本上也会降低很多。

海力士表示通过不断地研发与设计，目前基于238层NAND闪存打造的终端产品已经成功在今年5月份正式量产，成为目前实际上体积最小的闪存芯片。海力士表示相比较176层的NAND闪存，238层NAND闪存的生产效率提升了34%，而且传输速率也可以达到2.4Gbps，和上代相比提升了50%，进而让终端产品的读写性能可以有效地提升20%。

这颗世界上最小体积的芯片，将会用于PCIe 5.0的设备之中，或者成为服务器级别的SSD的存储颗粒，而现在这款闪存将会首先使用在移动市场上，最主要的更高存储密度的闪存的推出也可以大幅降低超大容量SSD的售价，海力士也表示，会继续突破NAND闪存技术局限，并加强竞争力。